IRF630设计参数总结  
(1) 采用n/n%2B外延片, 晶向(100)、衬底电阻率 0.004Ω cm (掺砷)、
硅片厚450 μm、外延层电阻率为 3.4－3.8Ω cm、
外延层厚19－21μm 
(磷注入工艺)。
（注：工艺过程中，衬底向外延层反扩约1.6 μm）
(2) 纵向结构参数：
I. P＋扩散结深3.3 μm , 浓度为8?1018－3.5?1019。
II.P－扩散结深 2.4μm, 浓度为2.830?1017。
III. N%2B扩散结深0.4 μm. 浓度﹥5?1020。
IV.栅氧化层厚5000A。
V. Al膜厚大于2μm。
（3）横向结构参数：
I. 方型单胞，正方形排列。单胞多晶硅尺寸为9μm，扩散窗口区尺寸为8μm，
II.单胞面积为17μm?17μm =289μm2。
III. 芯片面积为2434μm?2417μm=5.88mm2。
IV.栅压焊点面积为247μm?187μm=0.0462mm2。
V. 器件有效总单胞数为17118个。
VI.器件有效面积为17118?289μm2=4.95mm2。
VII. 划片道横向为66μm，纵向为63μm。
VIII. 总面积2.5?2.48＝6.2mm2。
（4）设计规则：套刻精度：1.5微米；尺寸：2微米

主要经营产品：

泉芯品牌：QX2303系列、QX2304系列、QX7135/QX7136系列、QX5241/QX5243、QX5278/QX5233/QX5235/QX5236/QX5237/QX5256、QX9910/QX9911/QX9920/QX9931、QX5305等

禾芯微品牌:HX1001系列、HX1002系列、HX1004/HX1005/HX1006/HX1007/HX1008/HX1009、HX1011/HX1012/HX1014/HX1016、HX1021/HX1022/HX1038、HX1101/HX1102/HX1103/HX1106、HX6001/HX6003/HX6017/HX6027/HX6201/HX6202/HX6203、HX7001系列、HX8001系列、HX9001系列等

芯龙品牌：XL1410、XL1509、XL2576、XL1513、XL4001、XL4101、XL2005、XL2009、XL2010、 XL6001、XL6006、XL6007、XL6008、XL8001、XL5002、XL5003等系列

华润矽威品牌：PT1301、PT4101、PT4103、 PT4105、PT4110、PT4115 PT4201、PT4205、PT4207、PT5110等

拓微品牌：TP83系列、TP4054、TP4055、TP4056、TP5000等

微盟品牌：ME6206系列、ME6219系列、ME2108系列、ME2109系列、ME2100系列、ME2801系列、ME2802系列、ME6211系列、ME301/331/501、ME6201系列等

远翔品牌：FP5138、FP5139、FP5209、FP5202、FP6280、FP6290、FP6291、FP6293、FP6297、FP6298等

极创品牌：

富晶品牌：DW01%2BG系列、FS8205A系列等

美国AO品牌MOS管：AO34系列、AO44系列、AO46系列等，SI23系列、4435、4953、9435、9926等

华晶IRF630(HJ) 华晶IRF630(HJ) 华晶IRF630(HJ) 华晶IRF630(HJ)