KF3007 P沟道场效应管IC_深圳市亿创微芯电子有限公司

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深圳市亿创微芯电子有限公司

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集成电路(IC)(1942)

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三极管(1)

场效应管MOSFET(10)

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KF3007 P沟道场效应管IC

型号/规格：

KF3007

品牌/商标：

封装：

SOT-23-3

批号：

全新原装

VDS：

-30V

VGS：

±12V

ID(MAX)：

-4.1A

导通电阻：

88mΩ

询价

产品信息

KF3007XG系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET), 采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

KF3007XG系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

特点

-30V/-4.1A

Rps(oN)<88mQ@ Vas=-10V,ID>=-4.1A

RDs(oN)< 108mO@ Vas--4.5V,Ip-3A

超大密度单元、极小的RDsION)

超小封装: SOT23

典型应用

电源管理

负载开关

电池保护

P沟道场效应管IC