ME8107主要针对适配器、充电器、开板电源、家电类、PC 辅助电源而设计的一款高性能控制芯片。ME8107内部集成了一个脉宽调制控制器和一一个600V的高压功率MOSFET.

ME8107的启动电流很低，电流模式脉宽调制使得在轻载时工作在节能模式。这些特性保证了电源能轻松达到严苛的能源法规要求。ME8107的集成功能包括电流检测的前沿消隐，内部斜率补偿,逐周期峰值电流限制和软启动。另外,在误动作时，过流保护(0CP)，过压保护(OVP)和过载保护(0LP) 能为芯片提供充分的保护。总之，ME8107 拥有更好的特性和更低的电源成本.

  特点

低待机功耗:通过低功耗间歇工作模式设计，达到小于0. 1W待机功耗。

无噪声工作:优化的芯片设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作，系统工作频率控制在22K以上。

更低启动电流: VDD 启动电流低至5uA, 可有效地减少系统启动电路的损耗，缩短系统的启动时间。

更低工作电流:工作电流约为1.8mA，可有效降低系统的损耗,提高系统的效率。

内置前沿消隐:内置220nS前沿消隐(LEB) ，降低系统成本。

内置良好的0CP补偿:内置了0CP补偿功能，使系统在不需要增加成本的情况下轻易做到全电压范围内系统的0CP曲线趋向平坦，提高系统的性价比。

完善的保护功能:集成了完善的保护功能模块。0VP，UVLO，0CP、 恒定的0PP可以使系统设计简洁可靠，同时满足安规的要求。

软启动功能:内置4mS软启动功能,可有效降低系统开机MOS管漏源之间电压过冲。

较少的外围器件:外围比较简单，可有效提高系统的功率密度，降低系统的成本。

优良的EMI特性:

内置的频率抖动设计可以有效的改善系统的EMI特性，同时可以降低系统的EMI成本。

高性能控制IC

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