AO4606采用先进沟道技术MOSFET,以提供出色的RDS（ON）和低栅极费。在互补MOSFET可用于形成变换水平高侧开关，以及一台主机的其他应用程序。

　　AO4606参数：

　　N沟道：

　　VDS= 30V

　　ID= 6A  （VGS=10V）

　　RDS（ON）

　　< 30mΩ （VGS=10V）

　　< 42mΩ （VGS=4.5V）

　　100% UIS Tested

　　100%  Rg Tested

　　P沟道：

　　VDS= -30V

　　ID=-6.5A （VGS=-10V）

　　RDS（ON）

　　< 28mΩ （VGS=-10V）

　　< 44mΩ （VGS=-4.5V）

　　100% UIS Tested

　　100%  Rg Tested

　　以下产品说明均来自原厂产品资料，如有更改，我们会尽量更新，不过，如需资料，敬请咨询我们！