AOD403/AOI403采用先进沟道技术提供优良的R DS(ON),低栅极电荷和低门阻力。用的优异的耐热性DPAK/ IPAK封装,该器件非常适用于高电流负载应用。
AOD403参数:
VDS:-30V
ID (at VGS= -20V):-70A
RDS(ON)(at VGS= -20V):< 6.2mΩ (< 6.7mΩ∗)
RDS(ON)(at VGS = -10V):< 8mΩ (< 8.5mΩ∗)
100% UIS Tested
100% Rg Tested
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